納米級二氧化硅作為典型的納米顆粒材料具有分散性好,比表面積大,親水性、力學(xué)補強性、增稠性及防粘結性等特性,廣泛應用于電子封裝材料、高分子復合材料、塑料、涂料、橡膠、顏料、陶瓷、膠黏劑、玻璃鋼、藥物載體、化妝品及抗菌材料、油墨等領(lǐng)域。

二氧化硅納米顆粒表面存在大量的不同狀態(tài)的羥基不飽和殘鍵,親水疏油,易于團聚,必須要對其進(jìn)行功能化改性,以提高性能及應用范圍。

表面接枝率測定-低場(chǎng)核磁法應用:

樣品:二氧化硅等無(wú)機顆粒,ABS等表面接枝聚合物

規格:可裝入10mm口徑試管,裝樣高度不超過(guò)2cm注意事項:樣品不得含有大量鐵磁性物質(zhì)

表面接枝率測定-低場(chǎng)核磁法的優(yōu)勢:

1. 檢測成本低

2.快速簡(jiǎn)單

3.適用于宏觀(guān)樣品等特性

4.無(wú)需任何專(zhuān)業(yè)操作員培訓

表面接枝率測定-低場(chǎng)核磁法應用基本原理:

LU等科學(xué)家采用多洛倫茲分裂算法將游離PEG的NMR信號與接枝的NMR信號區分開(kāi),從而可以使用1H-NMR對接枝過(guò)程進(jìn)行原位監測。該方法的優(yōu)點(diǎn)是不受接枝基團末端官能團類(lèi)型、表面化學(xué)性質(zhì)、納米粒子或組成的限制,它還為相關(guān)科學(xué)研究提供表征納米顆粒上基團接枝密度的關(guān)鍵和標準指南。低場(chǎng)核磁技術(shù)因為其設備成本較低,使用簡(jiǎn)單,適用于宏觀(guān)樣品等特性,非常適用于快速測定顆粒表面接枝率測定。它通過(guò)MSE系列序列實(shí)現死時(shí)間內的1H核磁信號采集,zui大程度的采集到了接枝在顆粒表面的基團中H原子核的信號,利用外標法進(jìn)行定量分析。

低場(chǎng)核磁法用于表面接枝率測定

科研中由于做表面接枝改性實(shí)驗,有很多相關(guān)的數據需要和接枝率相聯(lián)系起來(lái),但是不知道用什么方法來(lái)完成表面接枝率測定。本文介紹的低場(chǎng)核磁法是一種快速無(wú)損的檢測方法,推薦大家使用。